Diody - Usměrňovače - Jednoduché

Domov
Diody - Usměrňovače - Jednoduché

GeneSiC Semiconductor

1N3889

část skladu: 12061

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3893R

část skladu: 9557

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N1188R

část skladu: 14337

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

část skladu: 7092

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N1200A

část skladu: 15967

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

část skladu: 10679

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N1190A

část skladu: 11089

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

část skladu: 7743

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N1186A

část skladu: 11112

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3768R

část skladu: 7145

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

část skladu: 10388

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3892

část skladu: 11891

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3879

část skladu: 12395

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3881R

část skladu: 11499

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3881

část skladu: 12277

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3883

část skladu: 9906

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3879R

část skladu: 15729

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3892R

část skladu: 11929

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3883R

část skladu: 9515

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

část skladu: 457

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 14.6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

část skladu: 435

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 9.4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.34V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

část skladu: 456

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 9.4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

část skladu: 472

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N3889R

část skladu: 12088

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

část skladu: 413

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4.3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

část skladu: 5706

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 35A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

SD4145R

část skladu: 6557

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S40MR

část skladu: 9616

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S150Q

část skladu: 2529

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

část skladu: 5428

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR6035

část skladu: 5414

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

část skladu: 2907

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S300B

část skladu: 2041

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 300A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S380ZR

část skladu: 2007

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2000V, Current - Average Rectified (Io): 380A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 380A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

část skladu: 16846

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURH7010

část skladu: 31

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 70A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 70A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»