Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 512,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 1536, Počet bran: 144000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 768, Počet bran: 72000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 768, Počet bran: 72000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 256,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 12.0ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 64,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 7.2ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 512, Počet bran: 48000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 12.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 32,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 12.0ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 256,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 64,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 256,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 6.5ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 8.5ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 64,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 6.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 64,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 512, Počet bran: 48000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 7.5ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 32,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 512,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.5V ~ 5.5V, Počet makrobuněk: 64,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 15.0ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 128,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 8.5ns, Napájecí napětí - interní: 2.5V, 3.3V, Počet makrobuněk: 3072, Počet bran: 288000,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 12.0ns, Napájecí napětí - interní: 3V ~ 3.6V, Počet makrobuněk: 32,
Programovatelný typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Zpoždění tpd (1) Max: 10.0ns, Napájecí napětí - interní: 4.75V ~ 5.25V, Počet makrobuněk: 512,
