Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.197" (5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 10mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.028" (0.7mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 35V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.138" (3.5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 35V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.028" (0.7mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 35V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Photodarlington,
Snímací vzdálenost: 0.031" (0.8mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 35V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Photodarlington,
Snímací vzdálenost: 0.2" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 30mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.15" (3.8mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 15V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 40mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Photodarlington,
Snímací vzdálenost: 0.050" (1.27mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 30mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.2" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.040" (1.02mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 30mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.200" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 24V, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 100mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.050" (1.27mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 25mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.050" (1.27mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 15V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 125mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Photodarlington,
Snímací vzdálenost: 0.200" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 15V, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 100mA, Typ výstupu: Photodarlington,
Snímací vzdálenost: 0.150" (3.81mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 25mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 40mA, Typ výstupu: Transistor,
Snímací vzdálenost: 0.150" (3.81mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.150" (3.81mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 40mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.197" (5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.178" (4.5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 472.4" (12m) 39.4', Metoda snímání: Reflective,
Snímací vzdálenost: 0.200" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 25mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 40mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 1.5mm, Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 1.5mm, Metoda snímání: Reflective, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 30mA, Typ výstupu: Photodiode,
Snímací vzdálenost: 0.039" (1mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.039" (1mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 35V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.2" (5.08mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.197" (5mm), Metoda snímání: Reflective, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 100mA, Typ výstupu: Photodiode,
Snímací vzdálenost: 0.157" (4mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 32V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.138" (3.5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 30V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 30mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
