| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funkce FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Výkon - max | - |
| Provozní teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | Die |
| Balíček zařízení dodavatele | Die |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
